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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL5602STRL
IRL5602STRL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL5602STRL - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRL5602STRL
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRL5602STRL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRL5602S.pdf
En stock: 3750

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL5602STRL
Infineon Technologies - IRL5602STRL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRL5602STRL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 12A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 75W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1460 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRL5602STRL

Attributs du produit IRL5602STRL IRL540S IRL540SPBF IRL5602STRR
Modèle de produit IRL5602STRL IRL540S IRL540SPBF IRL5602STRR
Fabricant Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
Package composant fournisseur D2PAK D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Séries HEXFET® - - HEXFET®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V 64 nC @ 5 V 64 nC @ 5 V 44 nC @ 4.5 V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 20 V 100 V 100 V 20 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc) 28A (Tc) 28A (Tc) 24A (Tc)
Vgs (Max) ±8V ±10V ±10V ±8V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 12A, 4.5V 77mOhm @ 17A, 5V 77mOhm @ 17A, 5V 42mOhm @ 12A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 4V, 5V 4V, 5V 2.5V, 4.5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 75W (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc) 75W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1460 pF @ 15 V 2200 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V 1460 pF @ 15 V

Fiche technique IRL5602STRL PDF

Téléchargez IRL5602STRL PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRL5602STRL - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf
Feuilles de données
IRL5602S.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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