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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFZ24STRR
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFZ24STRR - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFZ24STRR
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFZ24STRR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFZ24.pdf
En stock: 4570

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFZ24STRR
Vishay Siliconix - IRFZ24STRR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFZ24STRR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 60W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFZ24  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFZ24STRR

Attributs du produit IRFZ24STRR IRFZ24STRL IRFZ34E IRFZ34
Modèle de produit IRFZ24STRR IRFZ24STRL IRFZ34E IRFZ34
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Séries - - HEXFET® -
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-220AB TO-220AB
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 10V 100mOhm @ 10A, 10V 42mOhm @ 17A, 10V 50mOhm @ 18A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 680 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IRFZ24 IRFZ24 - IRFZ34
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc) 17A (Tc) 28A (Tc) 30A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 60W (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) 68W (Tc) 88W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Fiche technique IRFZ24STRR PDF

Téléchargez IRFZ24STRR PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFZ24STRR - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRFZ24.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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