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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFZ24STRLPBF
IRFZ24STRLPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFZ24STRLPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFZ24STRLPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFZ24STRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFZ24STRLPBF.pdf
État RoHS
En stock: 29071

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFZ24STRLPBF
Vishay Siliconix - IRFZ24STRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFZ24STRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 60W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFZ24  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFZ24STRLPBF

Attributs du produit IRFZ24STRLPBF IRFZ34E IRFZ24STRR IRFZ34
Modèle de produit IRFZ24STRLPBF IRFZ34E IRFZ24STRR IRFZ34
Fabricant Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Séries - HEXFET® - -
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc) 28A (Tc) 17A (Tc) 30A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base IRFZ24 - IRFZ24 IRFZ34
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V 680 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 10V 42mOhm @ 17A, 10V 100mOhm @ 10A, 10V 50mOhm @ 18A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 60W (Tc) 68W (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) 88W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur D2PAK TO-220AB D²PAK (TO-263) TO-220AB
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Fiche technique IRFZ24STRLPBF PDF

Téléchargez IRFZ24STRLPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFZ24STRLPBF - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFZ24STRLPBF

Vishay Siliconix
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