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IRFZ24NSTRLPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFZ24NSTRLPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFZ24NSTRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFZ24NSTRLPBF.pdf
Notre certification
En stock: 3800

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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRFZ24NSTRLPBF
Infineon Technologies - IRFZ24NSTRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFZ24NSTRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 45W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 370 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFZ24NSTRLPBF

Attributs du produit IRFZ24NSTRLPBF IRFZ24S IRFZ24NPBF IRFZ24STRL
Modèle de produit IRFZ24NSTRLPBF IRFZ24S IRFZ24NPBF IRFZ24STRL
Fabricant Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 370 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 370 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 10A, 10V 100mOhm @ 10A, 10V 70mOhm @ 10A, 10V 100mOhm @ 10A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc) 17A (Tc) 17A (Tc) 17A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 55 V 60 V 55 V 60 V
Séries HEXFET® - HEXFET® -
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur D2PAK D²PAK (TO-263) TO-220AB D²PAK (TO-263)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 45W (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) 45W (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc)

Fiche technique IRFZ24NSTRLPBF PDF

Téléchargez IRFZ24NSTRLPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFZ24NSTRLPBF - Infineon Technologies.

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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