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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFU9024
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFU9024 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFU9024
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFU9024
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IRFR9024, IRFU9024, SiHFR9024, SiHFU9024.pdf
En stock: 4300

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFU9024
Vishay Siliconix - IRFU9024 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFU9024

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-251AA  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 5.3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.8A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFU9  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFU9024

Attributs du produit IRFU9024 IRFU9120NPBF IRFU9110 IRFU9110PBF
Modèle de produit IRFU9024 IRFU9120NPBF IRFU9110 IRFU9110PBF
Fabricant Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Package composant fournisseur TO-251AA IPAK (TO-251AA) TO-251AA TO-251AA
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base IRFU9 - IRFU9 IRFU9110
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 40W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Fonction FET - - - -
Séries - HEXFET® - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.8A (Tc) 6.6A (Tc) 3.1A (Tc) 3.1A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 5.3A, 10V 480mOhm @ 3.9A, 10V 1.2Ohm @ 1.9A, 10V 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Tension drain-source (Vdss) 60 V 100 V 100 V 100 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Fiche technique IRFU9024 PDF

Téléchargez IRFU9024 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFU9024 - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRFR9024, IRFU9024, SiHFR9024, SiHFU9024.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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