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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFU9020PBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFU9020PBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFU9020PBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFU9020PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 50V 9.9A TO251AA
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_9020.pdf
État RoHS
En stock: 52940

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFU9020PBF
Vishay Siliconix - IRFU9020PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFU9020PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-251AA  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 5.7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 50 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.9A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFU9020  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFU9020PBF

Attributs du produit IRFU9020PBF IRFU7440PBF IRFU9014 IRFU9024NPBF
Modèle de produit IRFU9020PBF IRFU7440PBF IRFU9014 IRFU9024NPBF
Fabricant Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc) 140W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 38W (Tc)
Numéro de produit de base IRFU9020 IRFU7440 IRFU9 IRFU9024
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 5.7A, 10V 2.4mOhm @ 90A, 10V 500mOhm @ 3.1A, 10V 175mOhm @ 6.6A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 50 V 40 V 60 V 55 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V 4610 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.9A (Tc) 90A (Tc) 5.1A (Tc) 11A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries - HEXFET® - HEXFET®
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 6V, 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3.9V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-251AA IPAK (TO-251AA) TO-251AA IPAK (TO-251AA)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 134 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel

Fiche technique IRFU9020PBF PDF

Téléchargez IRFU9020PBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFU9020PBF - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
IRFU/SIH 21/Oct/2016.pdf
Feuilles de données
IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_9020.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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