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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFU9120NPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFU9120NPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFU9120NPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFU9120NPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IRFU9120NPBF.pdf
En stock: 3700

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFU9120NPBF
Infineon Technologies - IRFU9120NPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFU9120NPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur IPAK (TO-251AA)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 3.9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.6A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFU9120NPBF

Attributs du produit IRFU9120NPBF IRFU9120N IRFU9110 IRFU9120
Modèle de produit IRFU9120NPBF IRFU9120N IRFU9110 IRFU9120
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 390 pF @ 25 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.6A (Tc) 6.6A (Tc) 3.1A (Tc) 5.6A (Tc)
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 3.9A, 10V 480mOhm @ 3.9A, 10V 1.2Ohm @ 1.9A, 10V 600mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) TO-251AA TO-251AA
Emballer Tube Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc) 40W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Séries HEXFET® HEXFET® - -

Fiche technique IRFU9120NPBF PDF

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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