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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFSL9N60A
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFSL9N60A - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFSL9N60A
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFSL9N60A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO262-3
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
IRFSL9N60A.pdf
En stock: 5340

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFSL9N60A
Vishay Siliconix - IRFSL9N60A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFSL9N60A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-262-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 170W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.2A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFSL9  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFSL9N60A

Attributs du produit IRFSL9N60A IRFSL7434PBF IRFSL7440PBF IRFSL7437PBF
Modèle de produit IRFSL9N60A IRFSL7434PBF IRFSL7440PBF IRFSL7437PBF
Fabricant Vishay Siliconix International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 600 V 40 V 40 V 40 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V 324 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V
Séries - HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.2A (Tc) 195A (Tc) 120A (Tc) 195A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 170W (Tc) 294W (Tc) 208W (Tc) 230W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Package composant fournisseur TO-262-3 TO-262 TO-262 TO-262
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Numéro de produit de base IRFSL9 - IRFSL7440 IRFSL7437
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5.5A, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 2.5mOhm @ 100A, 10V 1.8mOhm @ 100A, 10V
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3.9V @ 250µA 3.9V @ 100µA 3.9V @ 150µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V 10820 pF @ 25 V 4730 pF @ 25 V 7330 pF @ 25 V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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