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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFSL7762PBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFSL7762PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFSL7762PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFSL7762PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 75V 85A TO262
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
IRFSL7762PBF.pdf
État RoHS
En stock: 37229

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFSL7762PBF
Infineon Technologies - IRFSL7762PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFSL7762PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-262  
Séries HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 51A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4440 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 85A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFSL7762PBF

Attributs du produit IRFSL7762PBF IRFSL7434PBF IRFSL4410ZPBF IRFSL9N60APBF
Modèle de produit IRFSL7762PBF IRFSL7434PBF IRFSL4410ZPBF IRFSL9N60APBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET® -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 51A, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 9mOhm @ 58A, 10V 750mOhm @ 5.5A, 10V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc) 294W (Tc) 230W (Tc) 170W (Tc)
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 85A (Tc) 195A (Tc) 97A (Tc) 9.2A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 324 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 100µA 3.9V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-262 TO-262 TO-262 I2PAK
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4440 pF @ 25 V 10820 pF @ 25 V 4820 pF @ 50 V 1400 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 75 V 40 V 100 V 600 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 6V, 10V 10V 10V

Fiche technique IRFSL7762PBF PDF

Téléchargez IRFSL7762PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFSL7762PBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 15/May/2016.pdf Mult Device EOL 11/May/2016.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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