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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFTS8342TRPBF
IRFTS8342TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFTS8342TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFTS8342TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFTS8342TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6
Fiche technique
IRFTS8342TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 188860

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFTS8342TRPBF
Infineon Technologies - IRFTS8342TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFTS8342TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-TSOP  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 8.2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.8 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.2A (Ta)  
Numéro de produit de base IRFTS8342  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFTS8342TRPBF

Attributs du produit IRFTS8342TRPBF IRFSL7787PBF IRFSL9N60A IRFTS9342TRPBF
Modèle de produit IRFTS8342TRPBF IRFSL7787PBF IRFSL9N60A IRFTS9342TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.8 nC @ 4.5 V 109 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) 125W (Tc) 170W (Tc) 2W (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 25 V 4020 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 595 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 75 V 600 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 8.2A, 10V 8.4mOhm @ 46A, 10V 750mOhm @ 5.5A, 10V 40mOhm @ 5.8A, 10V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur 6-TSOP TO-262 TO-262-3 6-TSOP
Séries HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ - HEXFET®
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Numéro de produit de base IRFTS8342 - IRFSL9 IRFTS9342
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.2A (Ta) 76A (Tc) 9.2A (Tc) 5.8A (Ta)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tube Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - 10V 4.5V, 10V
Package / Boîte SOT-23-6 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA SOT-23-6
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 3.7V @ 100µA 4V @ 250µA 2.4V @ 25µA

Fiche technique IRFTS8342TRPBF PDF

Téléchargez IRFTS8342TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFTS8342TRPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
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Assemblage / origine PCN
Warehouse Transfer 29/Jul/2015.pdf
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Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020.pdf Packing Material Update 16/Sep/2016.pdf
Conception / spécification PCN
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