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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFR9110PBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFR9110PBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFR9110PBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFR9110PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_9110.pdf
État RoHS
En stock: 63160

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFR9110PBF
Vishay Siliconix - IRFR9110PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFR9110PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 1.9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.1A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFR9110  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFR9110PBF

Attributs du produit IRFR9110PBF IRFR9024TRPBF IRFR9024TR IRFR9110TF
Modèle de produit IRFR9110PBF IRFR9024TRPBF IRFR9024TR IRFR9110TF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.1A (Tc) 8.8A (Tc) 8.8A (Tc) 3.1A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V 290 pF @ 25 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak DPAK
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 25W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 60 V 60 V 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 1.9A, 10V 280mOhm @ 5.3A, 10V 280mOhm @ 5.3A, 10V 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Séries - - - -
Numéro de produit de base IRFR9110 IRFR9024 IRFR9024 -

Fiche technique IRFR9110PBF PDF

Téléchargez IRFR9110PBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFR9110PBF - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014.pdf
Feuilles de données
IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_9110.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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