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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFR9024TR
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFR9024TR - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFR9024TR
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFR9024TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRFR9024, IRFU9024, SiHFR9024, SiHFU9024.pdf
En stock: 4110

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFR9024TR
Vishay Siliconix - IRFR9024TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFR9024TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 5.3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.8A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFR9024  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFR9024TR

Attributs du produit IRFR9024TR IRFR9110 IRFR9110PBF IRFR9110
Modèle de produit IRFR9024TR IRFR9110 IRFR9110PBF IRFR9110
Fabricant Vishay Siliconix Harris Corporation Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tube Tube
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Package composant fournisseur D-Pak D-PAK (TO-252AA) D-Pak D-Pak
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.8A (Tc) 3.1A (Tc) 3.1A (Tc) 3.1A (Tc)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 5.3A, 10V 1.2Ohm @ 1.9A, 10V 1.2Ohm @ 1.9A, 10V 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Séries - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base IRFR9024 - IRFR9110 IRFR9110
Tension drain-source (Vdss) 60 V 100 V 100 V 100 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Fiche technique IRFR9024TR PDF

Téléchargez IRFR9024TR PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFR9024TR - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRFR9024, IRFU9024, SiHFR9024, SiHFU9024.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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