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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFI644GPBF
IRFI644GPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFI644GPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFI644GPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFI644GPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique
IRFI644G.pdf
État RoHS
En stock: 28959

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFI644GPBF
Vishay Siliconix - IRFI644GPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFI644GPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.9A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFI644  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFI644GPBF

Attributs du produit IRFI644GPBF IRFI634GPBF IRFI720G IRFI740G
Modèle de produit IRFI644GPBF IRFI634GPBF IRFI720G IRFI740G
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 770 pF @ 25 V 410 pF @ 25 V 1370 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc) 35W (Tc) 30W (Tc) 40W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.9A (Tc) 5.6A (Tc) 2.6A (Tc) 5.4A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 250 V 250 V 400 V 400 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base IRFI644 IRFI634 IRFI720 IRFI740
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.7A, 10V 450mOhm @ 3.4A, 10V 1.8Ohm @ 1.6A, 10V 550mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique IRFI644GPBF PDF

Téléchargez IRFI644GPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFI644GPBF - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Advisory 20/Mar/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf
Feuilles de données
IRFI644G.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFI644GPBF

Vishay Siliconix
32D-IRFI644GPBF

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