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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFI634GPBF
IRFI634GPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFI634GPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFI634GPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFI634GPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique
IRFI634G.pdf
État RoHS
En stock: 37190

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFI634GPBF
Vishay Siliconix - IRFI634GPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFI634GPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 3.4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.6A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFI634  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFI634GPBF

Attributs du produit IRFI634GPBF IRFI640GPBF IRFI634G IRFI730G
Modèle de produit IRFI634GPBF IRFI640GPBF IRFI634G IRFI730G
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc) 40W (Tc) 35W (Tc) 35W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 770 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Tension drain-source (Vdss) 250 V 200 V 250 V 400 V
Numéro de produit de base IRFI634 IRFI640 IRFI634 IRFI730
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Séries - - - -
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 3.4A, 10V 180mOhm @ 5.9A, 10V 450mOhm @ 3.4A, 10V 1Ohm @ 2.1A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.6A (Tc) 9.8A (Tc) 5.6A (Tc) 3.7A (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IRFI634GPBF PDF

Téléchargez IRFI634GPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFI634GPBF - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Advisory 20/Mar/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf
Feuilles de données
IRFI634G.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFI634GPBF

Vishay Siliconix
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