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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFI730G
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IRFI730G - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFI730G
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFI730G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220-3
Emballage
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique
IRFI730G.pdf
Notre certification
En stock: 4710

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRFI730G
Vishay Siliconix - IRFI730G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFI730G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 2.1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 400 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.7A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFI730  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS RoHS non conforme
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFI730G

Attributs du produit IRFI730G IRFI640G IRFI720GPBF IRFI644G
Modèle de produit IRFI730G IRFI640G IRFI720GPBF IRFI644G
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
Séries - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc) 40W (Tc) 30W (Tc) 40W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.7A (Tc) 9.8A (Tc) 2.6A (Tc) 7.9A (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 410 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 2.1A, 10V 180mOhm @ 5.9A, 10V 1.8Ohm @ 1.6A, 10V 280mOhm @ 4.7A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 400 V 200 V 400 V 250 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base IRFI730 IRFI640 IRFI720 IRFI644

Fiche technique IRFI730G PDF

Téléchargez IRFI730G PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFI730G - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRFI730G.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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