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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFI4321PBF
IRFI4321PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFI4321PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFI4321PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFI4321PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
IRFI4321PBF.pdf
État RoHS
En stock: 27330

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFI4321PBF
Infineon Technologies - IRFI4321PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFI4321PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB Full-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 46W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4440 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 34A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFI4321  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFI4321PBF

Attributs du produit IRFI4321PBF IRFI4410ZGPBF IRFI4110GPBF IRFI510GPBF
Modèle de produit IRFI4321PBF IRFI4410ZGPBF IRFI4110GPBF IRFI510GPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 34A (Tc) 43A (Tc) 72A (Tc) 4.5A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 46W (Tc) 47W (Tc) 61W (Tc) 27W (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Package composant fournisseur TO-220AB Full-Pak TO-220AB Full-Pak TO-220AB Full-Pak TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Tension drain-source (Vdss) 150 V 100 V 100 V 100 V
Numéro de produit de base IRFI4321 - IRFI4110 IRFI510
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4440 pF @ 50 V 4910 pF @ 50 V 9540 pF @ 50 V 180 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V 8.3 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 20A, 10V 9.3mOhm @ 26A, 10V 4.5mOhm @ 43A, 10V 540mOhm @ 2.7A, 10V

Fiche technique IRFI4321PBF PDF

Téléchargez IRFI4321PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFI4321PBF - Infineon Technologies.

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Brésil 7
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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