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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - ModulesVS-GB90DA120U
VS-GB90DA120U Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

VS-GB90DA120U - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
VS-GB90DA120U
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-VS-GB90DA120U
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT MOD 1200V 149A 862W SOT227
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
VS-GB90DA120U.pdf
État RoHS
En stock: 3850

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques VS-GB90DA120U
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-GB90DA120U Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-GB90DA120U

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.8V @ 15V, 75A  
Package composant fournisseur SOT-227  
Séries -  
Puissance - Max 862 W  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
NTC thermistance No  
Type de montage Chassis Mount  
Contribution Standard  
type de IGBT NPT  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 250 µA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 149 A  
Configuration Single  
Numéro de produit de base GB90  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB90DA120U

Attributs du produit VS-GB90DA120U VS-GA200SA60UP VS-GA250SA60S VS-GP250SA60S
Modèle de produit VS-GB90DA120U VS-GA200SA60UP VS-GA250SA60S VS-GP250SA60S
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Contribution Standard Standard Standard Standard
Package composant fournisseur SOT-227 SOT-227 SOT-227 SOT-227
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4 SOT-227-4, miniBLOC
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Configuration Single Single Single Single
Puissance - Max 862 W 500 W 961 W 893 W
Séries - - - -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V 600 V 600 V 600 V
Courant - Collecteur (Ic) (max) 149 A 200 A 400 A 380 A
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 250 µA 1 mA 1 mA 100 µA
type de IGBT NPT - - PT, Trench
Emballer Bulk Bulk Tube Tube
Numéro de produit de base GB90 GA200 GA250 GP250
NTC thermistance No No No No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.8V @ 15V, 75A 1.9V @ 15V, 100A 1.66V @ 15V, 200A 1.3V @ 15V, 100A

Fiche technique VS-GB90DA120U PDF

Téléchargez VS-GB90DA120U PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour VS-GB90DA120U - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Conception / spécification PCN
Ink to Laser 03/Feb/2016.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 10/Jan/2020.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-VS-GB90DA120U

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