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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleVS-FA40SA50LC
VS-FA40SA50LC Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

VS-FA40SA50LC - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
VS-FA40SA50LC
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-VS-FA40SA50LC
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 40A SOT-227
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
VS-FA40SA50LC.pdf
État RoHS
En stock: 1765

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques VS-FA40SA50LC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-FA40SA50LC Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-FA40SA50LC

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 23A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 543W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 420 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc)  
Numéro de produit de base FA40  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FA40SA50LC

Attributs du produit VS-FA40SA50LC VS-FB190SA10 VS-FA72SA50LC VS-ETH1506STRLHM3
Modèle de produit VS-FA40SA50LC VS-FB190SA10 VS-FA72SA50LC VS-ETH1506STRLHM3
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Fonction FET - - - -
Emballer Bulk Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 23A, 10V 6.5mOhm @ 180A, 10V 80mOhm @ 34A, 10V -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.35V @ 250µA 4V @ 250µA -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Numéro de produit de base FA40 FB190 FA72 ETH1506
Séries - - - Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) Standard
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 420 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 338 nC @ 10 V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc) 190A (Tj) 72A (Tc) -
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Dissipation de puissance (max) 543W (Tc) 568W (Tc) 1136W (Tc) -
Package composant fournisseur SOT-227 SOT-227 SOT-227 TO-263AB (D²PAK)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6900 pF @ 25 V 10700 pF @ 25 V 10000 pF @ 25 V -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Tension drain-source (Vdss) 500 V 100 V 500 V -

Fiche technique VS-FA40SA50LC PDF

Téléchargez VS-FA40SA50LC PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour VS-FA40SA50LC - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Conception / spécification PCN
Ink to Laser 03/Feb/2016.pdf Mult Devs Material 14/Nov/2022.pdf
Feuilles de données
VS-FA40SA50LC.pdf

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