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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - ModulesVS-GA200SA60UP
VS-GA200SA60UP Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

VS-GA200SA60UP - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
VS-GA200SA60UP
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-VS-GA200SA60UP
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT MOD 600V 200A 500W SOT227
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
VS-GA200SA60UP.pdf
État RoHS
En stock: 4960

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques VS-GA200SA60UP
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-GA200SA60UP Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-GA200SA60UP

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A  
Package composant fournisseur SOT-227  
Séries -  
Puissance - Max 500 W  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
NTC thermistance No  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 16.5 nF @ 30 V  
Contribution Standard  
type de IGBT -  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1 mA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 200 A  
Configuration Single  
Numéro de produit de base GA200  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA200SA60UP

Attributs du produit VS-GA200SA60UP VS-GA250SA60S VS-GT175DA120U VS-GP250SA60S
Modèle de produit VS-GA200SA60UP VS-GA250SA60S VS-GT175DA120U VS-GP250SA60S
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Contribution Standard Standard Standard Standard
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 16.5 nF @ 30 V 16.25 nF @ 30 V - -
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A 1.66V @ 15V, 200A 2.1V @ 15V, 100A 1.3V @ 15V, 100A
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance No No No No
Puissance - Max 500 W 961 W 1087 W 893 W
type de IGBT - - Trench PT, Trench
Numéro de produit de base GA200 GA250 GT175 GP250
Séries - - - -
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4 SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Package composant fournisseur SOT-227 SOT-227 SOT-227 SOT-227
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1 mA 1 mA 100 µA 100 µA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 200 A 400 A 288 A 380 A
Configuration Single Single Single Single
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 600 V 1200 V 600 V
Emballer Bulk Tube Bulk Tube

Fiche technique VS-GA200SA60UP PDF

Téléchargez VS-GA200SA60UP PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour VS-GA200SA60UP - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Conception / spécification PCN
Ink to Laser 03/Feb/2016.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 10/Jan/2020.pdf
Assemblage / origine PCN
DD-023-2014-Rev-00 27/Oct/2014.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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