Spécifications
Spécifications techniques 19MT050XF
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 19MT050XF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 19MT050XF
| Attributs du produit |
Valeur des attributs
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| Fabricant |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
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| Vgs (th) (Max) @ Id |
6V @ 250µA |
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| La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Package composant fournisseur |
16-MTP |
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| Séries |
HEXFET® |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
220mOhm @ 19A, 10V |
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| Puissance - Max |
1140W |
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| Package / Boîte |
16-MTP Module |
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| Emballer |
Bulk |
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| Attributs du produit |
Valeur des attributs
| |
| Température de fonctionnement |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
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| Type de montage |
Chassis Mount |
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| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
7210pF @ 25V |
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| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs |
160nC @ 10V |
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| Fonction FET |
- |
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| Tension drain-source (Vdss) |
500V |
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| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C |
31A |
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| Configuration |
4 N-Channel (Half Bridge) |
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| Numéro de produit de base |
19MT050 |
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Mode de transport
Délai de livraison
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| Pays communs Référence du temps logistique |
| Région |
Pays |
Heure logistique (jour) |
| Amérique |
États-Unis |
5 |
| Brésil |
7 |
| L'Europe |
Allemagne |
5 |
| Royaume-Uni |
4 |
| Italie |
5 |
| Océanie |
Australie |
6 |
| Nouvelle-Zélande |
5 |
| Asie |
Inde |
4 |
| Japon |
4 |
| Moyen-Orient |
Israël |
6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx |
| Frais d'expédition (kg) |
Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Note:
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SI4500BDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
AON5802BGAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET 2N-CH 30V 10A 6DFN
PSMN070-200BNXP USA Inc.35A, 200V, 0.07OHM, N-CHANNEL
DMG4822SSD-13Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
DMT3020LFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
CSD86350Q5DTTexas Instruments25V POWERBLOCK N CH MOSFET
VEC2616-TL-HonsemiMOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
CPH3314-TL-ESanyoP-CHANNEL SILICON MOSFET
SP8M8TBRohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC
UPA2387T1P-E4-ARenesas Electronics America IncUPA2387T - MOSFET ARRAY
BUK9K134-100EXNexperia USA Inc.MOSFET 2N-CH 100V 8.5A LFPAK56D
US6M2TRRohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
SH8J62TB1Rohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 30V 4.5A SOP8