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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxDMT3020LFDB-7
DMT3020LFDB-7 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMT3020LFDB-7 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMT3020LFDB-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMT3020LFDB-7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
Description détaillée
Emballage
6-UDFN Exposed Pad
Fiche technique
DMT3020LFDB.pdf
État RoHS
En stock: 201930

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMT3020LFDB-7
Diodes Incorporated - DMT3020LFDB-7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMT3020LFDB-7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur U-DFN2020-6 (Type B)  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9A, 10V  
Puissance - Max 700mW  
Package / Boîte 6-UDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 393pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.7A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base DMT3020  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMT3020LFDB-7

Attributs du produit DMT3020LFDB-7 DMT3009LDT-7 DMT3011LDT-7 DMT6004SCT
Modèle de produit DMT3020LFDB-7 DMT3009LDT-7 DMT3011LDT-7 DMT6004SCT
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V 20nC @ 15V 13.2nC @ 10V 95.4 nC @ 10 V
Package / Boîte 6-UDFN Exposed Pad 8-VDFN Exposed Pad 8-VDFN Exposed Pad TO-220-3
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur U-DFN2020-6 (Type B) V-DFN3030-8 (Type K) V-DFN3030-8 (Type K) TO-220-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base DMT3020 DMT3009 DMT3011 DMT6004
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9A, 10V 11.1mOhm @ 14.4A, 10V 20mOhm @ 6A, 10V 3.65mOhm @ 100A, 10V
Séries Automotive, AEC-Q101 - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.7A 30A 8A, 10.7A 100A (Tc)
Puissance - Max 700mW 1.2W 1.9W -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 393pF @ 15V 1500pF @ 15V 641pF @ 15V 4556 pF @ 30 V
Fonction FET - - - -
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical -
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 60 V

Fiche technique DMT3020LFDB-7 PDF

Téléchargez DMT3020LFDB-7 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMT3020LFDB-7 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev 06/Dec/2019.pdf
Feuilles de données
DMT3020LFDB.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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DMT3020LFDB-7

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