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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxUS6M2TR
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

US6M2TR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
US6M2TR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-US6M2TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
Description détaillée
Emballage
6-SMD, Flat Leads
Fiche technique
US6M2TR.pdf
État RoHS
En stock: 109480

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques US6M2TR
Rohm Semiconductor - US6M2TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - US6M2TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TUMT6  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Puissance - Max 1W  
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30V, 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A, 1A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base US6M2  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor US6M2TR

Attributs du produit US6M2TR US6M11TR US6M2GTR US6M2TR MOS
Modèle de produit US6M2TR US6M11TR US6M2GTR US6M2TR MOS
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 10V 110pF @ 10V 80pF @ 10V, 150pF @ 10V -
Puissance - Max 1W 1W 1W -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA 1V @ 1mA 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V 1.8nC @ 4.5V 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V -
Numéro de produit de base US6M2 US6M11 US6M2 -
Séries - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A, 1A 1.5A, 1.3A 1.5A, 1A -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1.5A, 4.5V 180mOhm @ 1.5A, 4.5V 240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Fonction FET - Logic Level Gate - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C -
Tension drain-source (Vdss) 30V, 20V 20V, 12V 30V, 20V -
Package composant fournisseur TUMT6 TUMT6 TUMT6 -
Configuration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel -
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads -

Fiche technique US6M2TR PDF

Téléchargez US6M2TR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour US6M2TR - Rohm Semiconductor.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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