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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTW56N60DM2
STW56N60DM2 Image
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STW56N60DM2 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STW56N60DM2
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STW56N60DM2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 50A TO247
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STW56N60DM2.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 5916

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques STW56N60DM2
STMicroelectronics - STW56N60DM2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW56N60DM2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries MDmesh™ DM2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4100 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base STW56  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW56N60DM2

Attributs du produit STW56N60DM2 STW55NM60ND STW56N60M2-4 STW57N65M5
Modèle de produit STW56N60DM2 STW55NM60ND STW56N60M2-4 STW57N65M5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Séries MDmesh™ DM2 FDmesh™ II MDmesh™ M2 MDmesh™ V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 650 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247-4 TO-247-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V
Numéro de produit de base STW56 STW55N STW56 STW57
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-4 TO-247-3
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 25A, 10V 60mOhm @ 25.5A, 10V 55mOhm @ 26A, 10V 63mOhm @ 21A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4100 pF @ 100 V 5800 pF @ 50 V 3750 pF @ 100 V 4200 pF @ 100 V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 51A (Tc) 52A (Tc) 42A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc) 350W (Tc) 350W (Tc) 250W (Tc)

Fiche technique STW56N60DM2 PDF

Téléchargez STW56N60DM2 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STW56N60DM2 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Feuilles de données
STW56N60DM2.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer 15/Feb/2019.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STW56N60DM2

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