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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTW55NM50N
STW55NM50N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STW55NM50N - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STW55NM50N
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STW55NM50N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 54A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STW55NM50N.pdf
État RoHS
En stock: 4160

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STW55NM50N
STMicroelectronics - STW55NM50N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW55NM50N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 54mOhm @ 27A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 350W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5800 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 54A (Tc)  
Numéro de produit de base STW55N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW55NM50N

Attributs du produit STW55NM50N STW55NM60N STW56N65DM2 STW56N65M2
Modèle de produit STW55NM50N STW55NM60N STW56N65DM2 STW56N65M2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Dissipation de puissance (max) 350W (Tc) 350W (Tc) 360W (Tc) 358W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 500 V 600 V 650 V 650 V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Numéro de produit de base STW55N STW55N STW56 STW56
Séries MDmesh™ II MDmesh™ II MDmesh™ DM2 MDmesh™ M2
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5800 pF @ 50 V 5800 pF @ 50 V 4100 pF @ 100 V 3900 pF @ 100 V
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 88 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 54mOhm @ 27A, 10V 60mOhm @ 25.5A, 10V 65mOhm @ 24A, 10V 62mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 54A (Tc) 51A (Tc) 48A (Tc) 49A (Tc)

Fiche technique STW55NM50N PDF

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Feuilles de données
STW55NM50N.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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