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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTW57N65M5
STW57N65M5 Image
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STW57N65M5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STW57N65M5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STW57N65M5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 42A TO247
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STx57N65M5.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 5218

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques STW57N65M5
STMicroelectronics - STW57N65M5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW57N65M5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 21A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 42A (Tc)  
Numéro de produit de base STW57  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW57N65M5

Attributs du produit STW57N65M5 STW56N60M2-4 STW56N65M2 STW56N65DM2
Modèle de produit STW57N65M5 STW56N60M2-4 STW56N65M2 STW56N65DM2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Séries MDmesh™ V MDmesh™ M2 MDmesh™ M2 MDmesh™ DM2
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-4 TO-247-3 TO-247-3
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-4 TO-247-3 TO-247-3
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 21A, 10V 55mOhm @ 26A, 10V 62mOhm @ 24.5A, 10V 65mOhm @ 24A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 100 V 3750 pF @ 100 V 3900 pF @ 100 V 4100 pF @ 100 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 42A (Tc) 52A (Tc) 49A (Tc) 48A (Tc)
Numéro de produit de base STW57 STW56 STW56 STW56
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V 88 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 650 V 600 V 650 V 650 V
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc) 350W (Tc) 358W (Tc) 360W (Tc)
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique STW57N65M5 PDF

Téléchargez STW57N65M5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STW57N65M5 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
IPG/14/8475 16/May/2014.pdf
Feuilles de données
STx57N65M5.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STW57N65M5

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