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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTW54NK30Z
STW54NK30Z Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STW54NK30Z - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STW54NK30Z
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STW54NK30Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 300V 54A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STW54NK30Z.pdf
État RoHS
En stock: 4620

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STW54NK30Z
STMicroelectronics - STW54NK30Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW54NK30Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 150µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 27A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4960 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 221 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 300 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 54A (Tc)  
Numéro de produit de base STW54N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW54NK30Z

Attributs du produit STW54NK30Z STW55NM50N STW50N65DM2AG STW55NM60ND
Modèle de produit STW54NK30Z STW55NM50N STW50N65DM2AG STW55NM60ND
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 54A (Tc) 54A (Tc) 28A (Tc) 51A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±25V
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4960 pF @ 25 V 5800 pF @ 50 V 3200 pF @ 100 V 5800 pF @ 50 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 221 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 350W (Tc) 300W (Tc) 350W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 27A, 10V 54mOhm @ 27A, 10V 87mOhm @ 19A, 10V 60mOhm @ 25.5A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 300 V 500 V 650 V 600 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries SuperMESH™ MDmesh™ II Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 FDmesh™ II
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 150µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Numéro de produit de base STW54N STW55N STW50 STW55N

Fiche technique STW54NK30Z PDF

Téléchargez STW54NK30Z PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STW54NK30Z - STMicroelectronics.

Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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