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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTW25NM50N
STW25NM50N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STW25NM50N - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STW25NM50N
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STW25NM50N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STx25NM50N.pdf
État RoHS
En stock: 3830

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STW25NM50N
STMicroelectronics - STW25NM50N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW25NM50N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 11A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2565 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc)  
Numéro de produit de base STW25N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW25NM50N

Attributs du produit STW25NM50N STW25N95K3 STW24N60M2 STW24NM60N
Modèle de produit STW25NM50N STW25N95K3 STW24N60M2 STW24NM60N
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 11A, 10V 360mOhm @ 11A, 10V 190mOhm @ 9A, 10V 190mOhm @ 8A, 10V
Numéro de produit de base STW25N STW25N - STW24N
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 500 V 950 V 600 V 600 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2565 pF @ 25 V 3680 pF @ 100 V 1060 pF @ 100 V 1400 pF @ 50 V
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247 TO-247-3
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc) 400W (Tc) 150W (Tc) 125W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc) 22A (Tc) 18A (Tc) 17A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±30V
Séries MDmesh™ II SuperMESH3™ - MDmesh™ II

Fiche technique STW25NM50N PDF

Téléchargez STW25NM50N PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STW25NM50N - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STx25NM50N.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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