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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTW25N80K5
STW25N80K5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STW25N80K5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STW25N80K5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STW25N80K5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STx25N80K5.pdf
État RoHS
En stock: 9952

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STW25N80K5
STMicroelectronics - STW25N80K5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW25N80K5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries SuperMESH5™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 19.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19.5A (Tc)  
Numéro de produit de base STW25  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW25N80K5

Attributs du produit STW25N80K5 STW26NM50 STW24NM60N STW24N60DM2
Modèle de produit STW25N80K5 STW26NM50 STW24NM60N STW24N60DM2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc) 313W (Tc) 125W (Tc) 150W (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 106 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19.5A (Tc) 30A (Tc) 17A (Tc) 18A (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 800 V 500 V 600 V 600 V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base STW25 STW26 STW24N STW24
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 100 V 3000 pF @ 25 V 1400 pF @ 50 V 1055 pF @ 100 V
Séries SuperMESH5™ MDmesh™ MDmesh™ II FDmesh™ II Plus
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 19.5A, 10V 120mOhm @ 13A, 10V 190mOhm @ 8A, 10V 200mOhm @ 9A, 10V

Fiche technique STW25N80K5 PDF

Téléchargez STW25N80K5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STW25N80K5 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
IPG/14/8475 16/May/2014.pdf
Feuilles de données
STx25N80K5.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STW25N80K5

STMicroelectronics
32D-STW25N80K5

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