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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTW25N60M2-EP
STW25N60M2-EP Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STW25N60M2-EP - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STW25N60M2-EP
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STW25N60M2-EP
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STW25N60M2-EP.pdf
État RoHS
En stock: 25983

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STW25N60M2-EP
STMicroelectronics - STW25N60M2-EP Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW25N60M2-EP

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries MDmesh™ M2-EP  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 188mOhm @ 9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1090 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc)  
Numéro de produit de base STW25  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW25N60M2-EP

Attributs du produit STW25N60M2-EP STW24NM65N STW24N60M2 STW25N95K3
Modèle de produit STW25N60M2-EP STW24NM65N STW24N60M2 STW25N95K3
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (Max) @ Id, Vgs 188mOhm @ 9A, 10V 190mOhm @ 9.5A, 10V 190mOhm @ 9A, 10V 360mOhm @ 11A, 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1090 pF @ 100 V 2500 pF @ 50 V 1060 pF @ 100 V 3680 pF @ 100 V
Tension drain-source (Vdss) 600 V 650 V 600 V 950 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247 TO-247-3
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc) 160W (Tc) 150W (Tc) 400W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V
Séries MDmesh™ M2-EP MDmesh™ II - SuperMESH3™
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 150µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc) 19A (Tc) 18A (Tc) 22A (Tc)
Numéro de produit de base STW25 STW24N - STW25N

Fiche technique STW25N60M2-EP PDF

Téléchargez STW25N60M2-EP PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STW25N60M2-EP - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf Gate threshold voltage 10/Apr/2018.pdf
Assemblage / origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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