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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTS17NF3LL
STS17NF3LL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STS17NF3LL - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STS17NF3LL
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STS17NF3LL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
STS17NF3LL.pdf
État RoHS
En stock: 3840

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STS17NF3LL
STMicroelectronics - STS17NF3LL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STS17NF3LL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±18V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 8.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.2W (Tc)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2160 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)  
Numéro de produit de base STS17  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STS17NF3LL

Attributs du produit STS17NF3LL STS20N3LLH6 STS15N4LLF3 STS13N3LLH5
Modèle de produit STS17NF3LL STS20N3LLH6 STS15N4LLF3 STS13N3LLH5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 40 V 30 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2160 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V 2530 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V
Séries STripFET™ II DeepGATE™, STripFET™ VI STripFET™ STripFET™ V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base STS17 STS20 STS15 STS13
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 3.2W (Tc) 2.7W (Tc) 2.7W (Tc) 2.7W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V 17 nC @ 4.5 V 28 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±18V ±20V ±16V +22V, -20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc) 20A (Tc) 15A (Tc) 13A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 8.5A, 10V 4.7mOhm @ 10A, 10V 5mOhm @ 7.5A, 10V 6.6mOhm @ 6.5A, 10V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fiche technique STS17NF3LL PDF

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Feuilles de données
STS17NF3LL.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STS17NF3LL

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