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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTS20N3LLH6
STS20N3LLH6 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STS20N3LLH6 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STS20N3LLH6
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STS20N3LLH6
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
STS20N3LLH6.pdf
État RoHS
En stock: 4700

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STS20N3LLH6
STMicroelectronics - STS20N3LLH6 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STS20N3LLH6

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries DeepGATE™, STripFET™ VI  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.7W (Tc)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1690 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)  
Numéro de produit de base STS20  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STS20N3LLH6

Attributs du produit STS20N3LLH6 STS1HNK60 STS17NH3LL STS19N3LLH6
Modèle de produit STS20N3LLH6 STS1HNK60 STS17NH3LL STS19N3LLH6
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Séries DeepGATE™, STripFET™ VI SuperMESH™ STripFET™ DeepGATE™, STripFET™ VI
Dissipation de puissance (max) 2.7W (Tc) 2W (Tc) 2.7W (Tc) 2.7W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 10A, 10V 8.5Ohm @ 500mA, 10V 5.7mOhm @ 8.5A, 10V 5.6mOhm @ 9.5A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V 10 nC @ 10 V 24 nC @ 4.5 V 17 nC @ 15 V
Numéro de produit de base STS20 STS1 STS17 STS19
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±16V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc) 300mA (Tc) 17A (Tc) 19A (Tc)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 3.7V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1690 pF @ 25 V 156 pF @ 25 V 1810 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 600 V 30 V 30 V
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique STS20N3LLH6 PDF

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Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STS20N3LLH6

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