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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTS12N3LLH5
STS12N3LLH5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STS12N3LLH5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STS12N3LLH5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STS12N3LLH5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
STS12N3LLH5.pdf
État RoHS
En stock: 4250

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STS12N3LLH5
STMicroelectronics - STS12N3LLH5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STS12N3LLH5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) +22V, -20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries STripFET™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.7W (Tc)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1290 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base STS12  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STS12N3LLH5

Attributs du produit STS12N3LLH5 STS13N3LLH5 STS17NH3LL STS10P3LLH6
Modèle de produit STS12N3LLH5 STS13N3LLH5 STS17NH3LL STS10P3LLH6
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) +22V, -20V +22V, -20V ±16V ±20V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dissipation de puissance (max) 2.7W (Tc) 2.7W (Tc) 2.7W (Tc) 2.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 6A, 10V 6.6mOhm @ 6.5A, 10V 5.7mOhm @ 8.5A, 10V 12mOhm @ 5A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1290 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 1810 pF @ 25 V 3350 pF @ 25 V
Séries STripFET™ V STripFET™ V STripFET™ STripFET™ H6
Numéro de produit de base STS12 STS13 STS17 STS10
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 13A (Tc) 17A (Tc) 10A (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 24 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V

Fiche technique STS12N3LLH5 PDF

Téléchargez STS12N3LLH5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STS12N3LLH5 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf
Feuilles de données
STS12N3LLH5.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STS12N3LLH5

STMicroelectronics
32D-STS12N3LLH5

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