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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTS10P3LLH6
STS10P3LLH6 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STS10P3LLH6 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STS10P3LLH6
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STS10P3LLH6
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
STS10P3LLH6.pdf
État RoHS
En stock: 45920

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STS10P3LLH6
STMicroelectronics - STS10P3LLH6 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STS10P3LLH6

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries STripFET™ H6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.7W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3350 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta)  
Numéro de produit de base STS10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STS10P3LLH6

Attributs du produit STS10P3LLH6 STS13N3LLH5 STS12NH3LL STS10N3LH5
Modèle de produit STS10P3LLH6 STS13N3LLH5 STS12NH3LL STS10N3LH5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3350 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 965 pF @ 25 V 475 pF @ 25 V
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 4.6 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 5A, 10V 6.6mOhm @ 6.5A, 10V 10.5mOhm @ 6A, 10V 21mOhm @ 5A, 10V
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 2.7W (Ta) 2.7W (Tc) 2.7W (Tc) 2.5W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Séries STripFET™ H6 STripFET™ V STripFET™ STripFET™ V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta) 13A (Tc) 12A (Tc) 10A (Tc)
Vgs (Max) ±20V +22V, -20V ±16V ±22V
Numéro de produit de base STS10 STS13 STS12 STS10
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Fiche technique STS10P3LLH6 PDF

Téléchargez STS10P3LLH6 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STS10P3LLH6 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STS10P3LLH6

STMicroelectronics
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