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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP30NF10
STP30NF10 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP30NF10 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP30NF10
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP30NF10
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
ST(B,P)30NF10(FP).pdf
État RoHS
En stock: 38430

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP30NF10
STMicroelectronics - STP30NF10 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP30NF10

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 115W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 35A (Tc)  
Numéro de produit de base STP30  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP30NF10

Attributs du produit STP30NF10 STP30NM60N STP310N10F7 STP30NF20
Modèle de produit STP30NF10 STP30NM60N STP310N10F7 STP30NF20
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 115W (Tc) 190W (Tc) 315W (Tc) 125W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 25 V 2700 pF @ 50 V 12800 pF @ 25 V 1597 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Séries STripFET™ II MDmesh™ II DeepGATE™, STripFET™ VII STripFET™
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 600 V 100 V 200 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 15A, 10V 130mOhm @ 12.5A, 10V 2.7mOhm @ 60A, 10V 75mOhm @ 15A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 35A (Tc) 25A (Tc) 180A (Tc) 30A (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Numéro de produit de base STP30 STP30N STP310 STP30
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3.8V @ 250µA 4V @ 250µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Fiche technique STP30NF10 PDF

Téléchargez STP30NF10 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP30NF10 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Emballage PCN
Traceability 06/Mar/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly Chg 18/Oct/2019.pdf
Feuilles de données
ST(B,P)30NF10(FP).pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STP30NF10

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