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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP30N65M5
STP30N65M5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP30N65M5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP30N65M5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP30N65M5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx30N65M5.pdf
État RoHS
En stock: 9123

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP30N65M5
STMicroelectronics - STP30N65M5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP30N65M5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 139mOhm @ 11A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2880 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc)  
Numéro de produit de base STP30  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP30N65M5

Attributs du produit STP30N65M5 STP30NF10 STP30NF20 STP30NM60N
Modèle de produit STP30N65M5 STP30NF10 STP30NF20 STP30NM60N
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Séries MDmesh™ V STripFET™ II STripFET™ MDmesh™ II
Tension drain-source (Vdss) 650 V 100 V 200 V 600 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 139mOhm @ 11A, 10V 45mOhm @ 15A, 10V 75mOhm @ 15A, 10V 130mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc) 115W (Tc) 125W (Tc) 190W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±30V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2880 pF @ 100 V 1180 pF @ 25 V 1597 pF @ 25 V 2700 pF @ 50 V
Numéro de produit de base STP30 STP30 STP30 STP30N
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc) 35A (Tc) 30A (Tc) 25A (Tc)
Fonction FET - - - -

Fiche technique STP30N65M5 PDF

Téléchargez STP30N65M5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP30N65M5 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013.pdf
Feuilles de données
STx30N65M5.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP30N65M5

STMicroelectronics
32D-STP30N65M5

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