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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP30N10F7
STP30N10F7 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP30N10F7 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP30N10F7
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP30N10F7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 32A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STP30N10F7.pdf
État RoHS
En stock: 53300

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP30N10F7
STMicroelectronics - STP30N10F7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP30N10F7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 16A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1270 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 32A (Tc)  
Numéro de produit de base STP30  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP30N10F7

Attributs du produit STP30N10F7 STP30NM30N STP30N65M5 STP30NF20
Modèle de produit STP30N10F7 STP30NM30N STP30N65M5 STP30NF20
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220 TO-220 TO-220
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1270 pF @ 50 V 2500 pF @ 50 V 2880 pF @ 100 V 1597 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Séries STripFET™ MDmesh™ II MDmesh™ V STripFET™
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc) 160W (Tc) 140W (Tc) 125W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 16A, 10V 90mOhm @ 15A, 10V 139mOhm @ 11A, 10V 75mOhm @ 15A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 32A (Tc) 30A (Tc) 22A (Tc) 30A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base STP30 STP30N STP30 STP30
Tension drain-source (Vdss) 100 V 300 V 650 V 200 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 64 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

Fiche technique STP30N10F7 PDF

Téléchargez STP30N10F7 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP30N10F7 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Plating Process 13/Dec/2018.pdf
PCN Obsolescence / EOL
STF STP 11-Nov-2022.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP30N10F7

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