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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP13NK50Z
STP13NK50Z Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP13NK50Z - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP13NK50Z
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP13NK50Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx13NK50Z.pdf
État RoHS
En stock: 5140

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP13NK50Z
STMicroelectronics - STP13NK50Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP13NK50Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 6.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)  
Numéro de produit de base STP13N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP13NK50Z

Attributs du produit STP13NK50Z STP13NM50N STP13NM60ND STP130NH02L
Modèle de produit STP13NK50Z STP13NM50N STP13NM60ND STP130NH02L
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc) 100W (Tc) 109W (Tc) 150W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V 960 pF @ 50 V 845 pF @ 50 V 4450 pF @ 15 V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc) 12A (Tc) 11A (Tc) 90A (Tc)
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 1V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 24.5 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 600 V 24 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 6.5A, 10V 320mOhm @ 6A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 4.4mOhm @ 45A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries SuperMESH™ MDmesh™ II FDmesh™ II STripFET™
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 5V, 10V
Numéro de produit de base STP13N STP13N STP13 STP130
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique STP13NK50Z PDF

Téléchargez STP13NK50Z PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP13NK50Z - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STx13NK50Z.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP13NK50Z

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