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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP13N95K3
STP13N95K3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP13N95K3 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP13N95K3
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP13N95K3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 950V 10A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx(I)13N95K3.pdf
État RoHS
En stock: 12652

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP13N95K3
STMicroelectronics - STP13N95K3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP13N95K3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1620 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 950 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  
Numéro de produit de base STP13  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP13N95K3

Attributs du produit STP13N95K3 STP13NM60N STP130N6F7 STP130NH02L
Modèle de produit STP13N95K3 STP13NM60N STP130N6F7 STP130NH02L
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Numéro de produit de base STP13 STP13 STP130 STP130
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 5V, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) 11A (Tc) 80A (Tc) 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 5A, 10V 360mOhm @ 5.5A, 10V 5mOhm @ 40A, 10V 4.4mOhm @ 45A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc) 90W (Tc) 160W (Tc) 150W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1620 pF @ 100 V 790 pF @ 50 V 2600 pF @ 25 V 4450 pF @ 15 V
Tension drain-source (Vdss) 950 V 600 V 60 V 24 V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±20V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Séries SuperMESH3™ MDmesh™ II STripFET™ F7 STripFET™

Fiche technique STP13N95K3 PDF

Téléchargez STP13N95K3 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP13N95K3 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013.pdf
Feuilles de données
STx(I)13N95K3.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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STP13N95K3

STMicroelectronics
32D-STP13N95K3

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