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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP13N80K5
STP13N80K5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP13N80K5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP13N80K5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP13N80K5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
ST(B,F,P,W)13N80K5.pdf
État RoHS
En stock: 22606

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP13N80K5
STMicroelectronics - STP13N80K5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP13N80K5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries SuperMESH5™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base STP13  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP13N80K5

Attributs du produit STP13N80K5 STP13NK60Z STP130N10F3 STP13NK50Z
Modèle de produit STP13N80K5 STP13NK60Z STP130N10F3 STP13NK50Z
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Numéro de produit de base STP13 STP13 STP130 STP13N
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc) 150W (Tc) 250W (Tc) 140W (Tc)
Séries SuperMESH5™ SuperMESH™ STripFET™ III SuperMESH™
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Tension drain-source (Vdss) 800 V 600 V 100 V 500 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 13A (Tc) 120A (Tc) 11A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 6A, 10V 550mOhm @ 4.5A, 10V 9.6mOhm @ 60A, 10V 480mOhm @ 6.5A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 100 V 2030 pF @ 25 V 3305 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 92 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique STP13N80K5 PDF

Téléchargez STP13N80K5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP13N80K5 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Site Closure 13/Feb/2020.pdf
Emballage PCN
Traceability 06/Mar/2017.pdf
Feuilles de données
ST(B,F,P,W)13N80K5.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP13N80K5

STMicroelectronics
32D-STP13N80K5

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