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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTL4N80K5
STL4N80K5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STL4N80K5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STL4N80K5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STL4N80K5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
STL4N80K5.pdf
État RoHS
En stock: 50750

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STL4N80K5
STMicroelectronics - STL4N80K5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL4N80K5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6)  
Séries SuperMESH5™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 1.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 38W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 175 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Tc)  
Numéro de produit de base STL4N80  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL4N80K5

Attributs du produit STL4N80K5 STL51N3LLH5 STL45N60DM6 STL4P3LLH6
Modèle de produit STL4N80K5 STL51N3LLH5 STL45N60DM6 STL4P3LLH6
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 6-PowerWDFN
Séries SuperMESH5™ STripFET™ V MDmesh™ DM6 DeepGATE™, STripFET™ H6
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Numéro de produit de base STL4N80 STL51 STL45 STL4P3
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 38W (Tc) 62.5W (Tc) 160W (Tc) 2.4W (Ta)
Vgs (Max) ±30V ±22V ±25V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 1.5A, 10V 14.5mOhm @ 6.3A, 10V 110mOhm @ 12.5A, 10V 56mOhm @ 2A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Tc) 51A (Tc) 25A (Tc) 4A (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (2x2)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 175 pF @ 100 V 724 pF @ 25 V 1920 pF @ 100 V 639 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V 5 nC @ 4.5 V 44 nC @ 10 V 6 nC @ 4.5 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 2.5V @ 250µA 4.75V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 800 V 30 V 600 V 30 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique STL4N80K5 PDF

Téléchargez STL4N80K5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STL4N80K5 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
IPD/15/9124 20/Mar/2015.pdf
Feuilles de données
STL4N80K5.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STL4N80K5

STMicroelectronics
32D-STL4N80K5

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