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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTL50N6F7
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STL50N6F7 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STL50N6F7
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STL50N6F7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 60A POWERFLAT
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
STL50N6F7.pdf
État RoHS
En stock: 58230

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STL50N6F7
STMicroelectronics - STL50N6F7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL50N6F7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6)  
Séries STripFET™ F7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 71W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1035 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc)  
Numéro de produit de base STL50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL50N6F7

Attributs du produit STL50N6F7 STL4N80K5 STL51N3LLH5 STL52N25M5
Modèle de produit STL50N6F7 STL4N80K5 STL51N3LLH5 STL52N25M5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 100µA 2.5V @ 250µA 5V @ 100µA
Numéro de produit de base STL50 STL4N80 STL51 STL52
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries STripFET™ F7 SuperMESH5™ STripFET™ V MDmesh™ V
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 10.5 nC @ 10 V 5 nC @ 4.5 V 47 nC @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1035 pF @ 30 V 175 pF @ 100 V 724 pF @ 25 V 1770 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (max) 71W (Tc) 38W (Tc) 62.5W (Tc) 2.5W (Ta), 110W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±22V ±25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 7.5A, 10V 2.5Ohm @ 1.5A, 10V 14.5mOhm @ 6.3A, 10V 65mOhm @ 14A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 800 V 30 V 250 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc) 2.5A (Tc) 51A (Tc) 28A (Tc)
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN

Fiche technique STL50N6F7 PDF

Téléchargez STL50N6F7 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STL50N6F7 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Feuilles de données
STL50N6F7.pdf
Assemblage / origine PCN
STL50N6F7 05/Jun/2023.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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