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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTL45N60DM6
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STL45N60DM6 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STL45N60DM6
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STL45N60DM6
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
STL45N60DM6.pdf
État RoHS
En stock: 9478

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STL45N60DM6
STMicroelectronics - STL45N60DM6 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL45N60DM6

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFlat™ (8x8) HV  
Séries MDmesh™ DM6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 12.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1920 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc)  
Numéro de produit de base STL45  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL45N60DM6

Attributs du produit STL45N60DM6 STL40N10F7 STL45N10F7AG STL3P6F6
Modèle de produit STL45N60DM6 STL40N10F7 STL45N10F7AG STL3P6F6
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN -
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc) 5W (Ta), 70W (Tc) 72W (Tc) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Tension drain-source (Vdss) 600 V 100 V 100 V -
Numéro de produit de base STL45 STL40 STL45 STL3P6
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1920 pF @ 100 V 1270 pF @ 50 V 1450 pF @ 50 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 12.5A, 10V 24mOhm @ 10A, 10V 24mOhm @ 9A, 10V -
Fonction FET - - - -
Séries MDmesh™ DM6 DeepGATE™, STripFET™ VII Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 *
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA -
Package composant fournisseur PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 19.5 nC @ 10 V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc) 40A (Tc) 18A (Tc) -
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -

Fiche technique STL45N60DM6 PDF

Téléchargez STL45N60DM6 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STL45N60DM6 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Material Barrier Bag 17/Dec/2020.pdf
Conception / spécification PCN
STLYYY 22/Dec/2020.pdf
Feuilles de données
STL45N60DM6.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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