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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTL3NM60N
STL3NM60N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STL3NM60N - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STL3NM60N
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STL3NM60N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
STL3NM60N.pdf
État RoHS
En stock: 32638

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STL3NM60N
STMicroelectronics - STL3NM60N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL3NM60N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFlat™ (3.3x3.3)  
Séries MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 22W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 188 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 650mA (Ta), 2.2A (Tc)  
Numéro de produit de base STL3NM60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL3NM60N

Attributs du produit STL3NM60N STL45N10F7AG STL40N10F7 STL45N60DM6
Modèle de produit STL3NM60N STL45N10F7AG STL40N10F7 STL45N60DM6
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.75V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 1A, 10V 24mOhm @ 9A, 10V 24mOhm @ 10A, 10V 110mOhm @ 12.5A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 100 V 100 V 600 V
Séries MDmesh™ II Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 DeepGATE™, STripFET™ VII MDmesh™ DM6
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V 19.5 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 22W (Tc) 72W (Tc) 5W (Ta), 70W (Tc) 160W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 188 pF @ 50 V 1450 pF @ 50 V 1270 pF @ 50 V 1920 pF @ 100 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 650mA (Ta), 2.2A (Tc) 18A (Tc) 40A (Tc) 25A (Tc)
Numéro de produit de base STL3NM60 STL45 STL40 STL45
Package composant fournisseur PowerFlat™ (3.3x3.3) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (8x8) HV
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN

Fiche technique STL3NM60N PDF

Téléchargez STL3NM60N PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STL3NM60N - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
IPG-PWR/14/8603 21/Jul/2014.pdf
Feuilles de données
STL3NM60N.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STL3NM60N

STMicroelectronics
32D-STL3NM60N

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