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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTL3N10F7
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STL3N10F7 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STL3N10F7
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STL3N10F7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT
Description détaillée
Emballage
6-PowerWDFN
Fiche technique
STL3N10F7.pdf
État RoHS
En stock: 92770

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STL3N10F7
STMicroelectronics - STL3N10F7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL3N10F7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFlat™ (2x2)  
Séries DeepGATE™, STripFET™ VII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Tc)  
Package / Boîte 6-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 408 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.8 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)  
Numéro de produit de base STL3  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL3N10F7

Attributs du produit STL3N10F7 STL42N65M5 STL3N65M2 STL3P6F6
Modèle de produit STL3N10F7 STL42N65M5 STL3N65M2 STL3P6F6
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Séries DeepGATE™, STripFET™ VII MDmesh™ V MDmesh™ M2 *
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA -
Package / Boîte 6-PowerWDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 408 pF @ 25 V 4650 pF @ 100 V 155 pF @ 100 V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc) 4A (Ta), 34A (Tc) 2.3A (Tc) -
Vgs (Max) ±20V ±25V ±25V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Tc) 3W (Ta), 208W (Tc) 22W (Tc) -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Package composant fournisseur PowerFlat™ (2x2) PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (3.3x3.3) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.8 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 5 nC @ 10 V -
Tension drain-source (Vdss) 100 V 650 V 650 V -
Numéro de produit de base STL3 STL42 STL3 STL3P6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2A, 10V 79mOhm @ 16.5A, 10V 1.8Ohm @ 1A, 10V -

Fiche technique STL3N10F7 PDF

Téléchargez STL3N10F7 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STL3N10F7 - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
Cover Tape Supplier 16/Sep/2021.pdf
Feuilles de données
STL3N10F7.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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