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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTL26N60DM6
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STL26N60DM6 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STL26N60DM6
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STL26N60DM6
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
STL26N60DM6.pdf
État RoHS
En stock: 14678

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STL26N60DM6
STMicroelectronics - STL26N60DM6 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL26N60DM6

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFlat™ (8x8) HV  
Séries MDmesh™ DM6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 215mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 940 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc)  
Numéro de produit de base STL26  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL26N60DM6

Attributs du produit STL26N60DM6 STL26N30M8 STL30P3LLH6 STL260N3LLH6
Modèle de produit STL26N60DM6 STL26N30M8 STL30P3LLH6 STL260N3LLH6
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc) 114W (Tc) 75W (Tc) 166W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6)
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±20V
Numéro de produit de base STL26 STL26 STL30 STL260
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc) 23A (Tc) 30A (Tc) 260A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 300 V 30 V 30 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries MDmesh™ DM6 MDmesh™ M8 DeepGATE™, STripFET™ VI STripFET™ H6
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 940 pF @ 100 V 1430 pF @ 100 V 1450 pF @ 25 V 6375 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 215mOhm @ 7.5A, 10V 89mOhm @ 11.5A, 10V 30mOhm @ 4.5A, 10V 1.3mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA 5V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 30.8 nC @ 10 V 12 nC @ 4.5 V 61.5 nC @ 4.5 V
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN

Fiche technique STL26N60DM6 PDF

Téléchargez STL26N60DM6 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STL26N60DM6 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Material Barrier Bag 17/Dec/2020.pdf
Conception / spécification PCN
STLYYY 22/Dec/2020.pdf
Feuilles de données
STL26N60DM6.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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