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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTL30P3LLH6
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STL30P3LLH6 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STL30P3LLH6
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STL30P3LLH6
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
STL30P3LLH6.pdf
État RoHS
En stock: 58580

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STL30P3LLH6
STMicroelectronics - STL30P3LLH6 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL30P3LLH6

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6)  
Séries DeepGATE™, STripFET™ VI  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 75W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1450 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  
Numéro de produit de base STL30  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL30P3LLH6

Attributs du produit STL30P3LLH6 STL26N65DM2 STL26N60DM6 STL26N30M8
Modèle de produit STL30P3LLH6 STL26N65DM2 STL26N60DM6 STL26N30M8
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (5x6)
Vgs (Max) ±20V ±25V ±25V ±25V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 650 V 600 V 300 V
Température de fonctionnement 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 35.5 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 30.8 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 75W (Tc) 140W (Tc) 110W (Tc) 114W (Tc)
Numéro de produit de base STL30 STL26 STL26 STL26
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1450 pF @ 25 V 1480 pF @ 100 V 940 pF @ 100 V 1430 pF @ 100 V
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries DeepGATE™, STripFET™ VI MDmesh™ DM2 MDmesh™ DM6 MDmesh™ M8
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) 5V @ 250µA 4.75V @ 250µA 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.5A, 10V 206mOhm @ 10A, 10V 215mOhm @ 7.5A, 10V 89mOhm @ 11.5A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 20A (Tc) 15A (Tc) 23A (Tc)

Fiche technique STL30P3LLH6 PDF

Téléchargez STL30P3LLH6 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STL30P3LLH6 - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly Transfer 31/May/2018.pdf
Feuilles de données
STL30P3LLH6.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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