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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTL260N4LF7
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STL260N4LF7 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STL260N4LF7
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STL260N4LF7
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
STL260N4LF7.pdf
État RoHS
En stock: 33243

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STL260N4LF7
STMicroelectronics - STL260N4LF7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL260N4LF7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6)  
Séries STripFET™ F7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 188W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL260N4LF7

Attributs du produit STL260N4LF7 STL24N60M2 STL30N10F7 STL26N65DM2
Modèle de produit STL260N4LF7 STL24N60M2 STL30N10F7 STL26N65DM2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 18A (Tc) 30A (Tc) 20A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 40 V 600 V 100 V 650 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 4.5 V 29 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 35.5 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V 1060 pF @ 100 V 920 pF @ 50 V 1480 pF @ 100 V
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 25A, 10V 210mOhm @ 9A, 10V 35mOhm @ 4A, 10V 206mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±25V
Séries STripFET™ F7 MDmesh™ II Plus DeepGATE™, STripFET™ VII MDmesh™ DM2
Dissipation de puissance (max) 188W (Tc) 125W (Tc) 75W (Tc) 140W (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique STL260N4LF7 PDF

Téléchargez STL260N4LF7 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STL260N4LF7 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Feuilles de données
STL260N4LF7.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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