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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTL16N65M2
STL16N65M2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STL16N65M2 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STL16N65M2
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STL16N65M2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
STL16N65M2.pdf
État RoHS
En stock: 28083

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STL16N65M2
STMicroelectronics - STL16N65M2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL16N65M2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6) HV  
Séries MDmesh™ M2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 395mOhm @ 3.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 56W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 718 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.5A (Tc)  
Numéro de produit de base STL16  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL16N65M2

Attributs du produit STL16N65M2 STL18N65M5 STL16N1VH5 STL150N3LLH6
Modèle de produit STL16N65M2 STL18N65M5 STL16N1VH5 STL150N3LLH6
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19.5 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 26.5 nC @ 4.5 V 40 nC @ 4.5 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.5A (Tc) 15A (Tc) 16A (Tc) 150A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±8V ±20V
Séries MDmesh™ M2 MDmesh™ V STripFET™ V DeepGATE™, STripFET™ VI
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 650 V 650 V 12 V 30 V
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6) HV PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (3.3x3.3) PowerFlat™ (5x6)
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base STL16 STL18 STL16 STL150
Rds On (Max) @ Id, Vgs 395mOhm @ 3.5A, 10V 240mOhm @ 7.5A, 10V 3mOhm @ 8A, 4.5V 2.4mOhm @ 16.5A, 10V
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 56W (Tc) 57W (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc) 80W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 718 pF @ 100 V 1240 pF @ 100 V 2085 pF @ 12 V 4040 pF @ 25 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 500mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA

Fiche technique STL16N65M2 PDF

Téléchargez STL16N65M2 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STL16N65M2 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Wafer Site Add 3/Aug/2018.pdf
Feuilles de données
STL16N65M2.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STL16N65M2

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32D-STL16N65M2

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