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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTL15N65M5
STL15N65M5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STL15N65M5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STL15N65M5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STL15N65M5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 10A POWERFLAT
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
STL15N65M5.pdf
État RoHS
En stock: 25872

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STL15N65M5
STMicroelectronics - STL15N65M5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL15N65M5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6)  
Séries MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 375mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 52W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 816 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  
Numéro de produit de base STL15  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL15N65M5

Attributs du produit STL15N65M5 STL150N3LLH6 STL160NS3LLH7 STL16N65M2
Modèle de produit STL15N65M5 STL150N3LLH6 STL160NS3LLH7 STL16N65M2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) 150A (Tc) 160A (Tc) 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 375mOhm @ 5A, 10V 2.4mOhm @ 16.5A, 10V 2.1mOhm @ 18A, 10V 395mOhm @ 3.5A, 10V
Séries MDmesh™ V DeepGATE™, STripFET™ VI DeepGATE™, STripFET™ VII MDmesh™ M2
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 52W (Tc) 80W (Tc) 84W (Tc) 56W (Tc)
Numéro de produit de base STL15 STL150 STL160 STL16
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V 30 V 30 V 650 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 1V @ 250µA 2.3V @ 1mA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) HV
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 40 nC @ 4.5 V 20 nC @ 4.5 V 19.5 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 816 pF @ 100 V 4040 pF @ 25 V 3245 pF @ 25 V 718 pF @ 100 V
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±25V

Fiche technique STL15N65M5 PDF

Téléchargez STL15N65M5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STL15N65M5 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Conception / spécification PCN
Datasheet Rev 09/Feb/2022.pdf
Feuilles de données
STL15N65M5.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STL15N65M5

STMicroelectronics
32D-STL15N65M5

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