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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTL17N65M5
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STL17N65M5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STL17N65M5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STL17N65M5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
STL17N65M5.pdf
État RoHS
En stock: 29420

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STL17N65M5
STMicroelectronics - STL17N65M5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL17N65M5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFlat™ (8x8) HV  
Séries MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 374mOhm @ 5.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 70W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 816 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.8A (Ta), 10A (Tc)  
Numéro de produit de base STL17  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL17N65M5

Attributs du produit STL17N65M5 STL160N4F7 STL17N3LLH6 STL16N1VH5
Modèle de produit STL17N65M5 STL160N4F7 STL17N3LLH6 STL16N1VH5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Séries MDmesh™ V STripFET™ F7 DeepGATE™, STripFET™ VI STripFET™ V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 70W (Tc) 111W (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 650 V 40 V 30 V 12 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base STL17 STL160 STL17 STL16
Rds On (Max) @ Id, Vgs 374mOhm @ 5.5A, 10V 2.5mOhm @ 16A, 10V 4.5mOhm @ 8.5A, 10V 3mOhm @ 8A, 4.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 17 nC @ 4.5 V 26.5 nC @ 4.5 V
Package composant fournisseur PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (3.3x3.3) PowerFlat™ (3.3x3.3)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA 500mV @ 250µA (Min)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.8A (Ta), 10A (Tc) 120A (Tc) 17A (Tc) 16A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 816 pF @ 100 V 2300 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V 2085 pF @ 12 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN

Fiche technique STL17N65M5 PDF

Téléchargez STL17N65M5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STL17N65M5 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf
Assemblage / origine PCN
IPD/15/9187 17/Apr/2015.pdf

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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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